从2016年第四季度开始，固态硬盘和内存价格就开始快速上涨，平均都达到了30%的涨幅，到今年华为P10“存储门”的事件，大家明显的感觉到flash芯片真的很缺货了。日前存储器控制芯片大厂群联董事长潘健成对媒体表示，目前 NAND Flash 芯片需求相当强劲，加上主要厂商大多表示，未来 3 年产能仍无法满足市场需求的情况下，因此预期 2017 年第 3 季 NAND Flash 会比 2017 年第 1 季还要缺货，可能会是史上最缺货的一季的说法，外资也跟着表示，因为未来新款手机内建储存容量不断提高的情况下，2017 年 NAND Flash 缺货的情况将不容易缓解。

根据外资的报告指出，NAND Flash 的产能问题，2017 年三星、美光、东芝/西数、SK Hynix 都会在下半年量产 64 层，以及 72 层堆栈的 3D NAND Flash 的情况下，原本预计产能会有大幅度提升。
 
但是，在 NAND 技术升级还要面临良率的问题考验下，产能是否能够顺利提升恐怕还有门槛。另外，在推动 NAND Flash 需求上涨的诸多原因中，手机内建存储容量的增加确实是个重要关键。随着目前行动 App 容量越来越大，部分手机游戏的容量已经不比单机游戏小。加上实时通讯软件的快速发展，包括聊天纪录、语音通话、图片档案等，都让手机内建储存需求直线上升。
 
因此，从之前的 16/32GB ，一跃到目前的 32/64GB 内建储存容量，导致 NAND Flash 的需求翻倍上涨，更别说很多高端手机的内建储存容量直接达到 128GB 的规模，都让 NAND Flash 市场供货更加吃紧。
 
此外，2017 年秋季，在苹果即将发表的新一代 iPhone 系列手机中，大家最关注的就是所谓的 10 周年纪念版的部分。因为，除了搭配 OLED 屏幕、无线充电、高屏幕占比等卖点之外，据称储存容量也会大幅增加以符合其地位。
 
因此起步容量就达到了 128GB，这相较目前 32GB 的起步容量要大得多。如此，不但将大幅增加市场需求，加剧 NAND Flash 的缺货问题。因此，在市场需求不断提升，但是产能又跟不上需求的情况下，2017 年 NAND Flash 的供货吃紧状况恐将难以纾解。